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如何避免樣品在掃描電鏡中受到輻射損傷?

日期:2023-10-10

要避免樣品在掃描電鏡(SEM)中受到輻射損傷,可以采取以下措施:

使用適當的工作距離:將電子束與樣品之間的工作距離保持在較遠的范圍內。增加工作距離可以減少電子束對樣品的輻射。

降低電子束電流:減少電子束的電流,以降低能量輸入,從而減少樣品的輻射損傷。

使用低電子束能量:選擇較低的電子束能量,通常在1-5千伏之間,以減少電子束的穿透能力。

使用樣品導電涂層:在非導電樣品上涂覆薄薄的導電涂層,如金屬薄膜,以提高導電性,減少充電效應。

控制掃描速度:降低掃描速度可以減少每個像素點的電子束暴露時間。

適當的冷卻:對于易受熱損傷的樣品,可以考慮在SEM操作期間使用樣品冷卻系統,以減小樣品溫度。

限制分析時間:在分析中盡量減少電子束的暴露時間,避免過長時間的掃描。

使用低真空模式:在SEM中使用低真空模式可以減少電子束對樣品的輻射損傷,因為低真空條件下電子與氣體分子相互作用較少。

優化SEM參數:根據具體的樣品和分析需求,優化SEM參數,以降低電子束對樣品的影響。

進行先行實驗:在正式實驗之前進行一些試驗性的SEM操作,以確定合適的參數,以減少樣品的損傷。

定期檢查樣品:定期檢查樣品,確保沒有明顯的損傷或變化。

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作者:澤攸科技