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使用掃描電鏡進行納米級觀察時需要注意哪些因素？

使用掃描電子顯微鏡（SEM）進行納米級觀察時，需要特別注意以下幾個關鍵因素，以確保高分辨率成像、準確分析，并減少可能的誤差或偽影。

要提高掃描電子顯微鏡（SEM）的成像速度，同時保持較高的分辨率，需要綜合優(yōu)化電子束參數(shù)、掃描方式、探測器設置和信號處理。

在掃描電鏡（SEM）成像過程中，漂移會導致圖像模糊、細節(jié)丟失，特別是在高倍率和長曝光時間下尤為明顯。

普通的掃描電子顯微鏡（SEM）不能直接觀察濕樣品，因為 SEM 需要高真空環(huán)境來防止電子束散射，而濕樣品中的水分在真空中會迅速蒸發(fā)，導致樣品形態(tài)變化甚至損壞。

在掃描電鏡（SEM）成像過程中，非導電樣品容易產(chǎn)生充電效應，導致圖像模糊、亮度不均、漂移或偽影。

優(yōu)化掃描電鏡（SEM）的曝光時間需要在信噪比（SNR）、分辨率、樣品損傷和成像時間之間取得平衡。

掃描電鏡（SEM）光束偏移會導致成像不清晰、分辨率下降、甚至樣品漂移。

掃描電鏡在對磁性材料（如鐵、鈷、鎳及其合金）成像時，可能會受到磁場干擾，導致成像質量下降。