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如何減少掃描電鏡樣品的輻照損傷？

在掃描電鏡 (SEM) 中減少樣品的輻照損傷是保持樣品結構完整性和獲得高質(zhì)量圖像的關鍵。

在掃描電鏡 (SEM) 中，調(diào)整光闌 (Aperture) 是提升圖像清晰度、對比度和景深的關鍵步驟。

在掃描電鏡 (SEM) 中使用低電壓成像 (Low Voltage Imaging) 是一種有效方法，尤其適合觀察非導電樣品、表面細節(jié)以及減少樣品損傷和充電效應的問題。

判斷掃描電鏡 (SEM) 的電子槍 (Electron Gun) 是否需要更換，通常可以通過以下幾個方面進行評估：

在掃描電鏡 (SEM) 中，使用低真空模式 (Low Vacuum Mode) 觀察非導電樣品的目的是為了避免樣品表面的電荷積累問題，同時無需復雜的導電處理（如噴金或碳涂層）。

在掃描電鏡（SEM, Scanning Electron Microscope）成像過程中，樣品上的污染物會嚴重影響成像質(zhì)量和分析結果。

在掃描電鏡（SEM）中，電磁透鏡的作用主要是用來聚焦和控制電子束，使其能夠精準地掃描樣品表面，從而獲得高分辨率的圖像和精確的分析結果。

在掃描電鏡（SEM）中，掃描模式是決定如何對樣品表面進行電子束掃描的設置。